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砷化镓体效应二极管


   砷化镓(gallium arsenide),化学式 GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。砷化镓体效应二极管是一种新型的半导体器件一微波振荡器件。


   西安国创砷化镓体效应二极管它是利用双能谷半导体砷化镓材料,在高场下体内呈现负微分迁移率,产生电流不稳定性形成微波振荡而制成的。由于它是基于一种体内现象,故称为体效应器件!砷化镓体效应器件具有体积小,重量轻,工作电压低,寿命长等许多优点,因此,它正在部分地取代电真空器件,在中小功率微波通讯、雷达、火箭、卫星等方面得到广泛地运用,为微波整机小型化开劈了广阔的前景。


   国创砷化镓体效应二极管型号


WT0001WT0002WT0003WT0003A
WT0004WT0004AWT02WT03
WT0005WT0006AWT0006BWT0007
WT541WT542WT543WT544
WT545WT546WT551WT552
WT553WT554WT555WT5471*
WT5472*




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