存储器电路

宇航用存储器
型号类型抗辐射性容量 (Bit)读取时间 (ns)工作电压 (V)

输入

电平

封装兼容型号
GB7156ARHSRAMTID ≥ 100KRad(Si)
SEL ≥ 75MeV.cm2/mg
SEU Error Rate ≤ 1E-10
error/bit-day in
Geosynchronous Orbit
32Kx8405TTLCDIP28UT7156
GB65608EARHSRAM128Kx8455TTLCQFP68M65608E
GB8R128K32RHSRAM128Kx3215Core:1.8
I/O:3.3
CMOSCQFP68UT8R128K32
GB8CR256K32RHSRAM256Kx3225Core:1.8
I/O:3.3
CMOSCQFP68--
GB8R512K8ARHSRAM512Kx817Core:1.8
I/O:3.3
CMOSCFP36UT8R512K8
*GB9Q512ERHSRAM512Kx8205 or 3.3TTLCFP36UT8Q512E
UT9Q512E
GB8CR512K32ARHSRAM512Kx3219Core:1.8
I/O:3.3
CMOSCQFP68UT8CR512K32
*GB9Q512K32ERHSRAM512Kx32255 or 3.3TTLCFP68UT8Q512K32E
UT9Q512K32E
GB8R512K39RHSRAM512Kx39Read:20Write:10Core:1.2
I/O:3.3
CMOSCQFP84--
GB8CR1M32RHSRAM1Mx32Read:20Write:10Core:1.2
I/O:3.3
CMOSCQFP84UT8ER1M32
GB8CR1M39RHSRAM1Mx39Read:20Write:10Core:1.2
I/O:3.3
CMOSCQFP84UT8R1M39
GB8CR2M32RHSRAM2Mx32Read:20Write:10Core:1.2
I/O:3.3
CMOSCQFP84UT8ER2M32
*GB7134RHDual port SRAM4Kx8355TTLCDIP48IDT7134
*GB7006RHDual port SRAM16Kx8405TTLCQFP68IDT7006
*GB1245RHQDR SRAMTID ≥ 300KRad(Si)
SEL ≥ 75MeV.cm2/mg
SEU Error Rate ≤ 1E-10
error/bit-day in
Geosynchronous Orbit
1Mx36工作频率:250MHz

Vdd:1.8,

I/O:1.4~vdd

HSTLCCGA165CY7C12451KV18
*GB1545RHQDR SRAM2Mx36工作频率:250MHz

Vdd:1.8,

I/O:1.4~vdd

HSTLCCGA165CYRS1545AV18
*GB1645RHQDR SRAM4Mx36Operating requency:400MHzVdd:1.8,
I/O:1.4~vdd
HSTLCCGA165CY7C1645KV18
*GB4141RHQDR SRAMTID ≥ 300KRad(Si)
SEL ≥ 75MeV.cm2/mg
SEU Error Rate ≤ 1E-10
error/bit-day in
Geosynchronous Orbit(add EDAC)
4Mx36Operating requency:666MHzVdd:1.8,
I/O:1.4~vdd
HSTLCCGA165CY7C4141KV13
GB7204ARHAsynchronous FIFOTID ≥ 100KRad(Si)
SEL ≥ 75MeV.cm2/mg
SEU ≥ 37MeV.cm2/mg
4Kx9255TTLCDIP28IDT7204
GB6664RHPROMTID ≥ 100KRad(Si)
SEL ≥ 75MeV.cm2/mg
SEU ≥ 37MeV.cm2/mg
SEU(memory cell)
≥ 75MeV.cm2/mg
8Kx8455TTLCDIP28HS-6664RH
GB28F256RHPROM32Kx8455TTLCFP28
CDIP28
UT28F256QLE
GB28F256LVRHPROM32Kx8653.3CMOSCFP28
CDIP28
UT28F256LVQLE
*GB28F1024RHPROM32Kx32655TTLCQFP64--
*GB28C64RHFLASH64K655TTLCDIP28--
*GB28C256RHFLASH256K655TTLCFP28
CDIP28
--
*GB28C256LVRHFLASH256K653.3CMOSCFP28
CDIP28
--
GB18V04RHFLASH4MOperating requency:20MHz3.3TTLCQFJ44XQR18V04

GB17V16RH

Anti-fuse type PROM16M203.3CMOSCQFJ44

XQR17V16


存储器

型号

类型

容量 (Bit)

读取时间 (ns)

工作电压 (V)

输入电平

封装

兼容型号

GBQ18V04CLFLASH4M253.3LVTTLCLCC44XQ18V04
GBQ18V04CQFLASH4M253.3LVTTLCQFP44XQ18V04
GBQ18V04ECQFLASH4M253.3LVTTLCQFP44XQ18V04
GBCF08PFLASH8MOperating frequency:33MHzCore:1.2
I/O:1.8~3.3
CMOSCSOP48XCF08P
GBCF16PFLASH16MOperating frequency:33MHzCore:1.2
I/O:1.8~3.3
CMOSCSOP48XCF16P
GBCF32PFLASH32MOperating frequency:33MHzCore:1.2
I/O:1.8~3.3
CMOSCSOP48XCF32P
*GB25LV128FLASH128MOperating frequency:133MHz3.3CMOSSOP16MX25L128
*GB25LV256FLASH256MOperating frequency:133MHz3.3CMOSSOP16MX25L256
*GB25LV512FLASH512MOperating frequency:133MHz3.3CMOSSOP16MX25L512


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热线电话
029-85251919