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玻璃封装快恢复二极管
型号	抗辐射性能	主要功能	封装	兼容型号
G2CZ5811US	对辐照不敏感	BV≥160V,I_F=6A,t_rr≤30ns,V_F≤0.925V@6A	D-5B	1N5811US
G2CZ5415US		BV≥55V,I_F=9A,t_rr≤150ns,V_F≤1.5V@9A	D-5B	1N5415US
G2CZ5418US		BV≥440V,I_F=9A,t_rr≤150ns,V_F≤1.5V@9A	D-5B	1N5418US
G2CZ5806		BV≥160V,I_F=2.5A,t_rr≤25ns,V_F≤0.975V@2.5A	DO-41	1N5806
G2CZ5806US		BV≥160V,I_F=2.5A,t_rr≤25ns,V_F≤0.975V@2.5A	D-5A	1N5806US
G2CZ6642US		BV≥75V,I_F=300mA,t_rr≤5ns	D-5D	1N6642US
*G2CZ0112		BV≥1200V,I_F=1A,t_rr≤80ns	Glassaxial leaded	SDR1N

金属陶瓷封装快恢复二极管
型号	抗辐射性能	主要功能	封装	兼容型号
G2CZ2020CU3	对辐照不敏感	BV≥200V，I_F=10A	SMD-0.5	HFB20HJ20
G2CZ4060CU1		BV≥600V,I_F=30A	SMD-1	HFA40HF60CSCS
*G2CZ4560CT6		BV≥600V,I_F=45A	TO-259AA	HFA45HI60CSCS
*G2CZ3560CT1		BV≥600V,I_F=30A	TO-254AA	HFA35HB60CSCS
*G2CZ35120CT1		BV≥1200V,I_F=15A	TO-254AA	HFA35HB120CSCS

玻璃双向抑制瞬态二极管
型号	抗辐射性能	主要功能	封装	兼容型号
GBSY6116A	对辐照不敏感	P_PP=500W,V_BR≥25.7V, V_RWM=20.6V, I_R<1uA, V_C<37.4V	Glass axial leaded	1N6116A
GBSY6125		P_PP=500W,V_BR≥55.8V,V_RWM=47.1V,I_R<1uA,V_C<89.3V	Glass axial leaded	1N6125
GBSY6126A		P_PP=500W,V_BR≥64.6V,V_RWM=51.7V,I_R<1uA,V_C<97.1V	Glass axial leaded	1N6126A
*GBSY6127A		P_PP=500W,V_BR ≥71.3V, V_RWM=56.0V, I_R<1uA,V_C<103.1V	Glass axial leaded	1N6127A
*GBSY6128A		P_PP=500W,V_BR ≥77.9V, V_RWM=62.2V, I_R<1uA,V_C<112.8V	Glass axial leaded	1N6128A
GBSY6129A		P_PP=500W,V_BR ≥86.5V, V_RWM=69.2V, I_R<1uA,V_C<125.1V	Glass axial leaded	1N6129A

玻璃封装稳压二极管
型号	抗辐射性能	主要功能	封装	兼容型号
G2CW4482	对辐照不敏感	V_Z=51V,I_R<0.05uA,P_t=1.5W,α_vz<0.096%/℃	DO-41	1N4482
G2CW4491		V_Z=120V,I_R<0.25uA,P_t=1.5W,α_vz<0.1%/℃	DO-41	1N4491
G2CW4982US		V_Z=100V,I_R<0.25uA,P_t=5W,α_vz<0.1%/℃	D-5B	1N4982US
*G2CW4494US		V_Z=160V,I_R<0.25uA,P_t=1.5W,α_vz<0.100%/℃	D-5A	1N4494US
*G2CW6326US		V_Z=12V,I_R<1.0uA,P_t=0.5W,α_vz<0.076%/℃	D-5D	1N6326US
*G2CW4116US		V_Z=24V,I_R<0.01uA,P_t=0.5W,α_vz<0.090%/℃	D-5D	1N4116UR
*G2CW4489US		V_Z=100V,I_R<0.25uA,P_t=1.5W,α_vz<0.099%/℃	D-5A	1N4489US
*G2CW4492US		V_Z=130V,I_R<0.25uA,P_t=1.5W,α_vz<0.100%/℃	D-5A	1N4492US

玻璃封装肖特基二极管
型号	抗辐射性能	主要功能	封装	兼容型号
*G2CK5822	对辐照不敏感	BV≥40V，I_F=3A	Glass axial leaded	1N5822
*G2CK5822US	对辐照不敏感	BV≥40V，I_F=3A	D-5B	1N5822US

NPN双极晶体管
型号	抗辐射性能	主要功能	封装	兼容型号
G3DK3500	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥150V,V_CEO≥150V,V_EBO≥6V,I_C=0.3A,β=40-120	TO-39	2N3500
G3DK3501	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥150V,V_CEO≥150V,V_EBO≥6V,I_C=0.3A,β=100-300	TO-39	2N3501
G3DK3501UB	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥150V,V_CEO≥150V,V_EBO≥6V,I_C=0.3A,β=100-300	UB	2N3501UB
G3DK2219A	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥75V,V_CEO≥50V,V_EBO≥6V,I_C=0.8A,β=100-300	TO-39	2N2219A
G3DK2222A	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥75V,V_CEO≥50V,V_EBO≥6V,I_C=0.8A,β=100-300	TO-18	2N2222A
G3DK2222AUB	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥75V,V_CEO≥50V,V_EBO≥6V,I_C=0.8A,β=100-300	UB	2N2222AUB
G3DK2369A	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥40V,V_CEO≥15V,V_EBO≥4.5V,I_C=0.2A,β=20-120	TO-18	2N2369A
*G3DK3700UB	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥140V,V_CEO≥80V,I_C=1A,β=100-300	TO-39	2N3700UB
G3DA3585	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥500V,V_CEO≥300V,V_EBO≥6V,I_C=2A,β=25-100	TO-66	2N3585
G3DA6678	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥650V,V_CEO≥400V,V_EBO≥8V,I_C=15A,β=15-40	TO-3	2N6678
G3DA5672	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥150V,V_CEO≥120V,V_EBO≥7V,I_C=30A,β=20-100	TO-3	2N5672
G3DA5667	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥400V,V_CEO≥300V,V_EBO≥6V,I_C=5A,β=25-75	TO-39	2N5667
*G3DA5667U3	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥400V,V_CEO≥300V,V_EBO≥6V,I_C=5A,β=25-75	SMD-0.5	--
*G3DA5109	TID≥100KRad(Si)	V_CBO≥40V,V_CEO≥20V,V_EBO≥3V,I_C=400mA,f_T≥1.2GHz	TO-39	2N5109

N沟抗辐射 VDMOS器件
型号	抗辐射性能	主要功能	封装	兼容型号
*GBCS7587U3RH	TID≥100KRad(Si) SEL≥75MeV∙cm2/mg	BV_DSS=100V, I_D=22A, R_DS（ON）=0.042Ω	SMD-0.5	IRHNJ67130SCS
*GBCS7591T2RH	TID≥100KRad(Si) SEL≥75MeV∙cm2/mg	BV_DSS=200V, I_D=9.1A, R_DS（ON）=0.145Ω	TO-39	IRHF67230
*GBCS7269T1RH	TID≥100KRad(Si) SEL≥75MeV∙cm2/mg	BV_DSS=200V, I_D=26A, R_DS（ON）=0.1Ω	TO-254	JANSR2N7269
*GBCS7269U1RH	TID≥100KRad(Si) SEL≥75MeV∙cm2/mg	BV_DSS=200V, I_D=26A, R_DS（ON）=0.1Ω	SMD-1	JANSR2N7269U
*GBCS7586U2RH	TID≥100KRad(Si) SEL≥75MeV∙cm2/mg	BV_DSS=250V, I_D=50A, R_DS（ON）=0.040Ω	SMD-2	IRHNA67264

快恢复二极管阵列
型号	抗辐射性能	主要功能	封装	兼容型号
*GBZL1001SS	对辐照不敏感	BV≥300V,t_rr≤25ns,V_F≤2V	CFP16	SDA1001SS
*GBZL1005SS		BV≥75V,t_rr≤10ns,V_F≤1V	CFP16	SDA1005SS
*GBZL1006S		BV≥200V,t_rr≤150ns,V_F≤1.6V	CFP16	SDA1006S
*GBZL1008SS		BV≥150V,t_rr≤35ns,V_F≤1V	CFP16	SDA1008SS
*GBZL1009SS		BV≥400V,t_rr≤150ns,V_F≤3.2V	CFP16	SDA1009SS

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