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分立器件
玻璃封装快恢复二极管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
G2CZ5811US
对辐照不敏感
BV≥160V,I
F
=6A,t
rr
≤30ns,V
F
≤0.925V@6A
D-5B
1N5811US
G2CZ5415US
BV≥55V,I
F
=9A,t
rr
≤150ns,V
F
≤1.5V@9A
D-5B
1N5415US
G2CZ5418US
BV≥440V,I
F
=9A,t
rr
≤150ns,V
F
≤1.5V@9A
D-5B
1N5418US
G2CZ5806
BV≥160V,I
F
=2.5A,t
rr
≤25ns,V
F
≤0.975V@2.5A
DO-41
1N5806
G2CZ5806US
BV≥160V,I
F
=2.5A,t
rr
≤25ns,V
F
≤0.975V@2.5A
D-5A
1N5806US
G2CZ6642US
BV≥75V,I
F
=300mA,t
rr
≤5ns
D-5D
1N6642US
*G2CZ0112
BV≥1200V,I
F
=1A,t
rr
≤80ns
Glassaxial leaded
SDR1N
金属陶瓷封装快恢复二极管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
G2CZ2020CU3
对辐照不敏感
BV≥200V,I
F
=10A
SMD-0.5
HFB20HJ20
G2CZ4060CU1
BV≥600V,I
F
=30A
SMD-1
HFA40HF60CSCS
*G2CZ4560CT6
BV≥600V,I
F
=45A
TO-259AA
HFA45HI60CSCS
*G2CZ3560CT1
BV≥600V,I
F
=30A
TO-254AA
HFA35HB60CSCS
*G2CZ35120CT1
BV≥1200V,I
F
=15A
TO-254AA
HFA35HB120CSCS
玻璃双向抑制瞬态二极管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
GBSY6116A
对辐照不敏感
P
PP
=500W,V
BR
≥25.7V, V
RWM
=20.6V, I
R
<1uA, V
C
<37.4V
Glass axial leaded
1N6116A
GBSY6125
P
PP
=500W,V
BR
≥55.8V,V
RWM
=47.1V,I
R
<1uA,V
C
<89.3V
Glass axial leaded
1N6125
GBSY6126A
P
PP
=500W,V
BR
≥64.6V,V
RWM
=51.7V,I
R
<1uA,V
C
<97.1V
Glass axial leaded
1N6126A
*GBSY6127A
P
PP
=500W,V
BR
≥71.3V, V
RWM
=56.0V, I
R
<1uA,V
C
<103.1V
Glass axial leaded
1N6127A
*GBSY6128A
P
PP
=500W,V
BR
≥77.9V, V
RWM
=62.2V, I
R
<1uA,V
C
<112.8V
Glass axial leaded
1N6128A
GBSY6129A
P
PP
=500W,V
BR
≥86.5V, V
RWM
=69.2V, I
R
<1uA,V
C
<125.1V
Glass axial leaded
1N6129A
玻璃封装稳压二极管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
G2CW4482
对辐照不敏感
V
Z
=51V,
I
R
<0.05uA,P
t
=1.5W,α
vz
<0.096%/℃
DO-41
1N4482
G2CW4491
V
Z
=120V,
I
R
<0.25uA,
P
t
=1.5W,
α
vz
<0.1%/℃
DO-41
1N4491
G2CW4982US
V
Z
=100V,
I
R
<0.25uA,
P
t
=5W,
α
vz
<0.1%/℃
D-5B
1N4982US
*G2CW4494US
V
Z
=160V,
I
R
<0.25uA,
P
t
=1.5W,
α
vz
<0.100%/℃
D-5A
1N4494US
*G2CW6326US
V
Z
=12V,
I
R
<1.0uA,
P
t
=0.5W,
α
vz
<0.076%/℃
D-5D
1N6326US
*G2CW4116US
V
Z
=24V,
I
R
<0.01uA,
P
t
=0.5W,
α
vz
<0.090%/℃
D-5D
1N4116UR
*G2CW4489US
V
Z
=100V,
I
R
<0.25uA,
P
t
=1.5W,
α
vz
<0.099%/℃
D-5A
1N4489US
*G2CW4492US
V
Z
=130V,I
R
<0.25uA,
P
t
=1.5W,
α
vz
<0.100%/℃
D-5A
1N4492US
玻璃封装肖特基二极管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
*G2CK5822
对辐照不敏感
BV≥40V,I
F
=3A
Glass axial leaded
1N5822
*G2CK5822US
BV≥40V,I
F
=3A
D-5B
1N5822US
NPN双极晶体管
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
G3DK3500
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥150V,V
CEO
≥150V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.3A,β=40-120
TO-39
2N3500
G3DK3501
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥150V,V
CEO
≥150V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.3A,β=100-300
TO-39
2N3501
G3DK3501UB
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥150V,V
CEO
≥150V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.3A,β=100-300
UB
2N3501UB
G3DK2219A
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥75V,V
CEO
≥50V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.8A,β=100-300
TO-39
2N2219A
G3DK2222A
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥75V,V
CEO
≥50V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.8A,β=100-300
TO-18
2N2222A
G3DK2222AUB
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥75V,V
CEO
≥50V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.8A,β=100-300
UB
2N2222AUB
G3DK2369A
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥40V,V
CEO
≥15V,V
EBO
≥4.5V,I
C
=0.2A,β=20-120
TO-18
2N2369A
*G3DK3700UB
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥140V,V
CEO
≥80V,I
C
=1A,β=100-300
TO-39
2N3700UB
G3DA3585
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥500V,V
CEO
≥300V,V
EBO
≥6V,I
C
=2A,β=25-100
TO-66
2N3585
G3DA6678
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥650V,V
CEO
≥400V,V
EBO
≥8V,I
C
=15A,β=15-40
TO-3
2N6678
G3DA5672
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥150V,V
CEO
≥120V,V
EBO
≥7V,I
C
=30A,β=20-100
TO-3
2N5672
G3DA5667
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥400V,V
CEO
≥300V,V
EBO
≥6V,I
C
=5A,β=25-75
TO-39
2N5667
*G3DA5667U3
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥400V,V
CEO
≥300V,V
EBO
≥6V,I
C
=5A,β=25-75
SMD-0.5
--
*G3DA5109
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥40V,V
CEO
≥20V,V
EBO
≥3V,I
C
=400mA,f
T
≥1.2GHz
TO-39
2N5109
N沟抗辐射 VDMOS器件
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
*GBCS7587U3RH
TID≥100KRad(Si)
SEL≥75MeV∙cm2/mg
BV
DSS
=100V, I
D
=22A, R
DS(ON)
=0.042Ω
SMD-0.5
IRHNJ67130SCS
*GBCS7591T2RH
TID≥100KRad(Si)
SEL≥75MeV∙cm2/mg
BV
DSS
=200V, I
D
=9.1A, R
DS(ON)
=0.145Ω
TO-39
IRHF67230
*GBCS7269T1RH
TID≥100KRad(Si)
SEL≥75MeV∙cm2/mg
BV
DSS
=200V, I
D
=26A, R
DS(ON)
=0.1Ω
TO-254
JANSR2N7269
*GBCS7269U1RH
TID≥100KRad(Si)
SEL≥75MeV∙cm2/mg
BV
DSS
=200V, I
D
=26A, R
DS(ON)
=0.1Ω
SMD-1
JANSR2N7269U
*GBCS7586U2RH
TID≥100KRad(Si)
SEL≥75MeV∙cm2/mg
BV
DSS
=250V, I
D
=50A, R
DS(ON)
=0.040Ω
SMD-2
IRHNA67264
快恢复二极管阵列
型号
抗辐射性能
主要功能
封装
兼容型号
*GBZL1001SS
对辐照不敏感
BV≥300V,t
rr
≤25ns,V
F
≤2V
CFP16
SDA1001SS
*GBZL1005SS
BV≥75V,t
rr
≤10ns,V
F
≤1V
CFP16
SDA1005SS
*GBZL1006S
BV≥200V,t
rr
≤150ns,V
F
≤1.6V
CFP16
SDA1006S
*GBZL1008SS
BV≥150V,t
rr
≤35ns,V
F
≤1V
CFP16
SDA1008SS
*GBZL1009SS
BV≥400V,t
rr
≤150ns,V
F
≤3.2V
CFP16
SDA1009SS
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