硅功率变容二极管主要电特性参数（TA=25℃)

參数名称

击穿

电压

反向

电流

结电容

电容

变比

电容

变比

电容

变比

优

值

截至

频率

封装

类型

符号

V_(BR)

I_R

C_j(0)

γ1

γ2

γ3

Q

f_c

一

测试条件

I_R=10μA

V_R=30V

V_R=0V

f=1MHz

C_j0/C_j(-6)

C_j-13/C_j(-6)

C_j-35/C_j(-6)

V_R=6V

f=500MHz

V_R=6V

f=500MHz

一

单位

V

μA

pF

一

一

一

一

GHz

一

型号\极限值

最小

最大

最大

最小

最小

最小

最小

最小

一

WB1006H

一

1

1.5~2.5

1.2~1.7

0.75~0.95

一

一

50

T3011

WB1007H

60

一

1.5~2.5

1.2~1.7

一

0.7~0.9

30

一

T556

WB1008H

50

一

5.0~7.0

1.2~1.7

一

0.7~0.9

50

一

T556