西安国创电子股份有限公司
电话:029-85251919
qq: 1652544828
地址:陕西省西安市高新区唐延路11号禾盛京广中心E座
硅电调变容二极管主要电特性参数(TA=25℃)
參数名称
击穿电压
反向电流
正向微分电阻
总电容
电容变比
优值
截至
频率
封装类型
符号
V(BR)
IR
rF
Cj(-2)
Ct(-4)
Ct(-20)
γ
Q
fe
一
测试条件
IR=10μA
VR=60V
IF=20mA
f=50Hz
VR=2V
f=1MHz
VR=4V
VR=20V
Ct-4/Ct-60
f=9.375GHz
单位
V
nA
Ω
pF
GHz
型号\极限值
最小
最大
WB1001A
100
2.5
60~100
2.0~3.5
120
DO-7
WB1001B
3.5~4.5
WB1001C
78~86
3.0~3.2
150
WB1001D
3.4~3.6
WB1001E
3.0~3.6
WB1001F
3.2~3.4
WB3321
50
15@40V
2.2
1.0~1.2
5.0@Ct0/Ct-50
T209
WB3322
5.5@Ct0/Ct-50
60
WB3323
6.0@Ct0/Ct-50
WB3324
6.5@Ct0/Ct-50
WB3331
1.2~1.5
WB3332
WB3333
WH3334
WB1015A
100@12V
0.6@100mA
96~144
7@Ct-2/Ct-10
200@2v,1MHz
WB1015B
10@Ct-2/Ct-10
WB1016
40
50@40V
1.2@50mA
1.4~1.8
6.5@Ct0/Ct-40
800@4v,50MHz
WB1017H
100@25V
1.5@30mA
19~25
(3~5)@10V
5@Ct-2/Ct-10
200@4v,50MHz
W202
WB1020H
2.0
60@0V
(22~28)@3V
7@10V
30@10v,500MHz
W304
WB1021H
100@20V
40~55
35~45
(23~33)@10V
DO-7一7
WB1009A
35
1.6
(5~6)@9V
(2~2.5)@22V
2@Ct-9/Ct-22
50@20v,500MHz
W205
WB1009B
(5~7)@9V
(2~3)@22V
WB1010
20
3.0
0.72~0.88
0.30~0.38
7@Ct0/Ct-20
450@4v,50MHz
WB1011
0.90~1.10
0.34~0.42
WB1012
3.51~4.29
0.93~1.18
300@4v,50MHz
WB1013
0.60~0.76
0.18~0.26
9@Cj0/Cj-20
芯片
WB1014
0.78~1.00
0.22~0.30
WB0933H
100@45V
0.5@100mA
29~35
2.5@Ct-4/Ct-45
15@4v,50MHz