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肖特基势垒混频二极管芯片主要电特性参数(TA=25℃)


参数名称

正向

电压

正向

电压差值

击穿电压

正向

微分电阻

反向电流

结电容

噪声系数

封装类型

VF

△VF

V(BR)

rF

IR

Cj

NF

测试条件

IF=1mA

IF1=1mA IF2=0.3mA

IR=10µA

IF=20mA

f=5KHz

VR=2V

VR=0V

f=1MHz

NFIF=1.5dB,Pin=1.0mW,

fIF=30MHz,f=3GHz

mV

mV

V

ΩW

µA

pF

dB

型号|极限值

最大

最大

最小

最大

最大

最大

最大

WH1004

280

45

2.0

15

10

0.60

6.5@f=3GHz

芯片

WH1005

300

45

2.0

15

10

0.45

6.5@f=6GHz

WH1006

320

45

2.0

15

10

0.18

7.0@f=9.375GHz

WH1007

330

47

2.0

18

10

0.15

7.5@f=16GHz

WH1008

350

50

2.0

20

10

0.10

8.5@f=24GHz

WH1009

400

45

3.0

15

0.60

6.5@f=3GHz

WH1010

430

45

3.0

15

0.18

7.0@f=9.375GHz

WH1011

440

47

3.0

18

0.15

7.5@f=16GHz

WH1012

450

50

3.0

20

0.10

8.5@f=24GHz


肖特基电参数.png



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