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WB1001系列变容二极管主要包括WB1001A、WB1001B、WB1001C、WB1001D、WB1001E、WB1001F这六种型号,它们之间的区别主要在于电容的不同。

功率放大器原理利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。通常由3部分组成:前置放大器、驱动放大器、末级功率放大器。今天国创不说原理说他的芯片及相关参数!

肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。它是一种热载流子二极管,低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短!国创今天就说说25℃肖特基势垒混频二极管芯片主要电特性参数!

砷化镓体效应器件具有体积小,重量轻,工作电压低,寿命长等许多优点,在中小功率微波通讯、雷达、火箭、卫星等方面得到广泛地运用,为微波整机小型化开劈了广阔的前景。国创就说说25℃砷化镓体效应二极管最大额定值。

砷化镓体效应二极管它是利用双能谷半导体砷化镓材料,在高场下体内呈现负微分迁移率,产生电流不稳定性形成微波振荡而制成的。TA=25℃脉冲砷化镓体效应二极管系列产品主要电特性参数。

肖特基势垒利用金属-半导体(M-S)接触特性制成,有点接触型和面结合型两种管芯结构。检波二极管是用于把叠加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。国创在这里就说说肖特基势垒检波二极管主要电特性参数!

变容二极管是利用pn结结电容随反偏压增大而减小的特性制成的半导体二极管。材料多为硅或砷化镓。用于谐振电路时为电调变容二极管,今天国创就说说部分硅电调变容二极管的参数!

变容二极管工作时的外加条件与稳压二极管类似,它必须工作在反向电压偏置区。当变容二极管两端加上反向电压时,其内部的PN结变厚,反向电压越高,PN结越厚。今天就说说硅功率变容二极管在TA=25℃时候主要电特性参数。

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